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询价产品信息
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 171 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 151 nC
配置: Single Dual Drain
Pd-功率耗散: 517 W
封装: Tube
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon / IR
CNHTS: 8541210000
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
零件号别名: SP001560548
单位重量: 5.600 g