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深圳市祥润达电子有限公司
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产品信息
LT1372IN8#PBF
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产品属性类别
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single系列HEXFET®包装Tube
零件状态ActiveFET 类型N-Channel技术MOSFET (Metal Oxide)漏源电压（Vdss）55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）110A (Tc)
驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）
（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）
（值）146nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
（值）3247pF @ 25VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散
（值）200W (Tc)不同 Id，Vgs 时的 Rds On
（值）8 mOhm @ 62A, 10V工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)安装类型Through Hole供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3
其他信息标准包装数50其他名称*IRF3205PBF
64-0085PBF
64-0085PBF-ND
SP001559536
数据手册 IRF3205PBF.pdf商品描述产品种类: MOSFET
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 97.3 nC
配置: Single
Pd-功率耗散: 150 W
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
宽度: 4.4 mm
工厂包装数量: 50