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深圳市祥润达电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 9.5 nC
配置: Single
Pd-功率耗散: 1.25 W
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SP001558846
单位重量: 8 mg
产品属性类别Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single系列HEXFET®包装Tape & Reel (TR)零件状态ActiveFET 类型P-Channel技术MOSFET (Metal Oxide)漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3A (Ta)驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V, 10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）14nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）510pF @ 25VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）1.25W (Ta)不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）98 mOhm @ 3A, 10V工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)安装类型Surface Mount供应商器件封装Micro3™/SOT-23封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3